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【福岡】SiCパワーデバイス開発エンジニア
  • 正社員

高い製品力と技術力を持つ、日本を代表する半導体メーカー 

【職務概要】SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。福岡の子会社に駐在していただく予定です。【職務詳細】■SiCパワーデバイス開発・設計■SiCパワーデバイスプロセス開発SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。既に20...

想定年収
500万円~850万円
勤務地
〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2

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