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【富山】ディスクリートパワーデバイス開発エンジニア／タワーパートナーズセミコンダクター株式会社

【富山】ディスクリートパワーデバイス開発エンジニア

タワーパートナーズセミコンダクター株式会社

正社員
完全週休2日制

想定年収: 350万円～600万円

勤務地: 富山県

多種多様な製品に使われている世の中に不可欠な半導体を製造／福利厚生充実◎

【職務概要】
ディスクリートパワーデバイス（主にトレンチMOSFET）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術等の関連部署と連携して行っていただきます。

【職務詳細】
■顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のある新規デバイスの開発
■プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化
■顧客やベンダー等、外部との技術議論を通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を実施
■チーム内外のメンバーとの円滑なコミュニケーションと技術調整

■タワーセミコンダクターとヌヴォトンテクノロジージャパンの融合で誕生したアナログ半導体スペシャルティファンドリー会社。
■製品／サービスの質／環境／安全衛生に注力しワールドクラスの半導体ウェハ製造受託工場の実現を目指しています。

会社の特徴

主なプロセス技術は、高感度イメージセンサ(CISおよびCCD)、パワーデバイス（BCD， SOI ， LDMOS）高周波RFCMOSおよび化合物半導体（GaAs， GaN， SiC）などです。200mmおよび300mmのウェハに対応したサブミクロンから45nmまでの120を超えるプロセスフローと内製のバックエンドプロセス、アッセンブリ、テストサービスにより、同社は、IDM・ファブレス企業の双方にインハウスターンキーサービスを含め、これまでより優れた半導体の品質と技術を提供します。また同社は、グローバルで多様な人材が活躍できる土壌があり、充実した教育・研修制度を保有しています。更に福利厚生は、日本でもトップクラスの手厚い制度を継承し、働きやすい環境が整っております。