半導体製造の根幹を担うイオン注入装置のリーディングカンパニー (社名非公開求人)|【神奈川】開発推進エンジニア(レーザアニール装置)の求人情報|転職エージェントのワークポート

【神奈川】開発推進エンジニア(レーザアニール装置)

半導体製造の根幹を担うイオン注入装置のリーディングカンパニー (社名非公開求人)

【神奈川】開発推進エンジニア(レーザアニール装置)
  • 正社員
  • 完全週休2日制
想定年収
600万円~950万円
勤務地
神奈川県

休日127日/半導体熱処理技術のプロとして次世代レーザアニール装置の開発をリード

【職務概要】
半導体プロセスにおける熱処理技術を基盤として、レーザアニール装置の開発活動を技術面で推進いただきます。関係各署(機械・電気・制御・光学・プロセス)と連携して装置を作り上げつつ、ご自身もいずれかの技術領域を担当する、開発の中核を担うポジションです。

【職務詳細】
■市場動向に基づく開発内容の策定:顧客訪問や研究部署との連携を通じて、プロセス起点で装置開発のテーマ・方向性を策定
■開発工程のリーディング:商品企画、要素開発、設計、試作、試験、評価、フィードバックまでの一連の活動をリード
■改善案の立案:顧客要望に応じたサンプル処理(デモ機使用)の実施と、その結果に基づく改善案の展開
■不具合対応:リリース後の不具合や改善要求のとりまとめ、各所への展開

【入社後のイメージ】
・入社直後~2年程度:愛媛事業所での装置トレーニング(1~2週間)後、横須賀にて業務フローや装置オペレーションを習得し、開発推進の実務を開始。
・3~5年目以降:適性や志向に応じ、特定技術のエキスパート(プロセス×設計等)や、チームリーダーとしてのマネジメントなど、幅広いキャリアを選択可能です。

会社の特徴

「お客様と伴に歩む」をテーマにしています。
お客様の開発現場や生産現場において必要とされる技術をタイムリーに提供し半導体ビジネスの発展に貢献しています。
高性能、高信頼性、低コストを実現する最新の技術を搭載した装置を取揃え、お客様の多様なニーズに応えています。
日本における半導体製造用イオン注入装置のメーカーとして、同社は、300mmウェハ対応をはじめとする、半導体デバイスの製造に対応した高電流、中電流、高エネルギーイオン注入装置を提供しています。
また、フラットパネルディスプレイ製造用として、高い性能が注目を集めている低温ポリシリコンTFT-液晶ならびに有機ELディスプレイの製造に最適なイオン注入装置を提供しています。

募集要項

職種

【神奈川】開発推進エンジニア(レーザアニール装置)

応募資格

【必須】
・半導体製造における熱処理技術に関する知識もしくは実務経験(目安:5年以上)
・英語の扱いに抵抗がない方(読み書きレベル、保有資格不問)

【尚可】
・光学設計のご経験
・機械工学を用いた何らかの機械設計経験(設備設計や治具設計も可)
・駆動機器、振動解析、配管、真空いずれかの知見およびご経験
・産業用機械および大型装置の設計経験
・ビジネスレベルの英語力(商談可能レベル)

求める人物像

・自ら技術や業務プロセスの習得・理解・発信ができる能動的な方

※レーザアニール装置市場の急激な成長に対応するための情報のキャッチアップが欠かせません。また、当組織は約6割が中途入社者で構成される組織であることから能動的に行動する姿勢が求められます。

勤務地

神奈川県横須賀市

勤務時間

8:30~17:30 ※フレックス制あり

想定給与

600万円~950万円
■ご経験・能力を考慮し、同社規定により支給

待遇/福利厚生

企業年金、確定拠出年金、財形貯蓄制度、育児、介護休暇制度、カフェテリアプラン、各種階層別研修(新入社員研修、新任管理職研修等)、製造特殊工程教育、技術者教育、品質教育、社内英会話教室、社内通信教育制度 等

休日/休暇

【年間休日127日※2026年度】完全週休2日制、年末年始、GW、夏季連続休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇等

雇用形態

正社員

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年休127日/世界的に需要が高まるパワー半導体製造装置の開発

想定給与 600万円~950万円

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