【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア※経験者

職務概要同社にて下記業務をお任せします。
職務詳細■MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発
■各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
■新たな技術を生みだす情熱と気概を持ち、将来それぞれのプロセスの専門家として開発を牽引できる人財を求めており、お任せする工程はご本人の適性やご希望も踏まえて判断します。
募集背景電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。
同社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。 会社の特徴 同社は、東芝グループの注力分野であるデバイス＆ストレージ事業を担う会社として、2017年7月1日、株式会社東芝より分社し発足しました。
最先端の半導体とHDDを提供することによって、カーボンニュートラルの推進やデジタル化の技術革新といった世界の急速な変化に対応し、
誰もが快適かつ安全・安心に暮らせる豊かな社会の実現に貢献しています。
特に自動車向けソリューション、産業／FA向けソリューション、データセンター向けソリューションという3つの領域に注力しています。
半導体研究開発センターでは、半導体デバイスやプロセスに対するシミュレーション技術、RF／アナログ回路技術、アセンブリ／パッケージング技術といった基盤的研究から、ワイヤレス、SoC (System on Chip)、ソフトウエア、組込みシステムのソリューション提案、さらには設計環境、設計手法にいたるまで、半導体に関わる幅広い研究開発を行っています。